Bandgap Engineering

Die Halbleiterphysik hat sich in den letzten Jahrzehnten von elementaren Halbleitern (zuerst Germanium, dann Silizium) zu Verbundhalbleitern aus der III-V bzw. II-VI Hauptgruppe entwickelt (z.B. AlGaAs). Durch Mischen dieser Elemente ist es möglich die Bandlücke des Halbleiters fast nach Belieben einzustellen, was man

MBE-Wachstum von undotierten Quantentöpfen/Quanten-Dots und Energieniveaubestimmung MBE-Wachstum von dotierten Heterostrukturen und temperaturabhängige Hall-Messungen MBE-Wachstum von LEDs Spektroskopische Analysen von LEDs