Kapazitäts-Spannungs-Spektroskopie: Unterschied zwischen den Versionen
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| − | + | Wenn sich ein extrinsischer Halbleiter in Kontakt mit einem Metall befindet, so bildet sich eine Verarmungszone aus, in der sich keine Ladungsträger befinden. Dieses System kann man zu Kapazitäts-Spannungs-Messungen (kurz: CV-Messungen) heranziehen, da man mit einer von außen angelegten Spannung die Verarmungszone vergrößern bzw. verkleinern kann. Die damit einhergehende Kapazitätsänderung kann dann dazu benutzt werden, um die im nachstehenden Abschnitt aufgelisteten Größen zu ermitteln. | |
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== Was erhalte ich durch Kapazitäts-Spannungsmessungen? == | == Was erhalte ich durch Kapazitäts-Spannungsmessungen? == | ||
| − | Durch Kapazitäts-Spannungs-Messungen | + | Durch Kapazitäts-Spannungs-Messungen kann man folgendes ermitteln: |
| − | * Donatorkonzentration (<math>\text{cm}^{-3}</math>) | + | * Donatorkonzentration <math>N_D</math>(<math>\text{cm}^{-3}</math>) |
* Diffusionsspannung (eingebautes Potential) <math>\text{U}_{\text{D}}</math> (V) | * Diffusionsspannung (eingebautes Potential) <math>\text{U}_{\text{D}}</math> (V) | ||
* Verarmungslänge <math>\text{W}_\text{d}</math> (nm) | * Verarmungslänge <math>\text{W}_\text{d}</math> (nm) | ||
| − | * Dotierprofil | + | * Bestimmung der Schottky-Barrieren-Höhe <math>\phi_{\text{B}_\text{n}}</math> |
| − | * Ladungs- und Energiezustände von Quantenpunkten | + | * Dotierprofil +++ |
| + | * Ladungs- und Energiezustände von Quantenpunkten +++ | ||
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| + | == Physikalischer Hintergrund == | ||
| + | Die Kapazität in der Verarmungszone wird in Abhängigkeit der Spannung gemessen. Anders als bei einem Plattenkondensator befinden sich die Elektronen in der Metallschicht und die positiven Donatorionen in dem angrenzenden halbleitenden Volumen. Mit der Variation der angelegten Spannung kann die Breite der Verarmungszone verändert werden, was eine Änderung der Kapazität zur Folge hat. Bei homogener Dotierung hängt die Anzahl der Donatorionen linear mit der Breite der Verarmungszone zusammen, die wiederum mit der Wurzel des Potential bzw. mit der Spannung zusammenhängt. Es lässt sich folgende Gleichung herleiten: | ||
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| + | <div align="center"><math>\frac{1}{C^2}=\frac{2\left(U_D-U\right)}{S^2\epsilon e N_D}</math></div> | ||
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| + | S ist hierbei die Kontaktfläche der aufgedampften Gates (für gewöhnlich 300 <math>\times</math> 300 µ<math>\text{m}^2</math> groß) und <math>\epsilon</math> die Permittivität. | ||
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| + | Trägt man nun <math>\text{C}^{-2}</math> gegen die Spannung auf, kann man aus der Steigung der erhaltenen Geraden die Donatorkonzentration bestimmen: | ||
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| + | <div align="center"><math>N_D=\frac{2}{S^2\epsilon e \frac{\mathrm dC^{-2}}{\mathrm dU}}</math></div> | ||
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| + | Ferner kann man aus dem Graphen die Diffusionsspannung <math>\text{U}_{\text{D}}</math> ermitteln, indem man den Spannungswert bei <math>\text{C}^{-2}=0</math> aus der Regressionsgeradenvorschrift errechnet. | ||
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| + | Möchte man sich den Verlauf der Verarmungslänge anschauen, so kann man die Beziehung für den Parallelplattenkondensator verwenden: | ||
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| + | <div align="center"><math>W_D=\frac{\epsilon S}{C}</math></div> | ||
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| + | Die Schottky-Barrieren-Höhe kann dann mittels | ||
| + | <div align="center"><math>\phi_{B_n}=U_D+U_n+\frac{kT}{e}-\Delta\phi</math></div> | ||
| + | errechnet werden, wobei <math>U_N</math> die Energiedifferenz zwischen Leitungsbandkante und Fermi-Level und <math>\Delta\Phi</math> die Barrierenabsenkung aufgrund des Bildladungs-Effektes zwischen Flachband- und Null-Bias-Fall ist. | ||
Version vom 7. August 2009, 13:36 Uhr
Wenn sich ein extrinsischer Halbleiter in Kontakt mit einem Metall befindet, so bildet sich eine Verarmungszone aus, in der sich keine Ladungsträger befinden. Dieses System kann man zu Kapazitäts-Spannungs-Messungen (kurz: CV-Messungen) heranziehen, da man mit einer von außen angelegten Spannung die Verarmungszone vergrößern bzw. verkleinern kann. Die damit einhergehende Kapazitätsänderung kann dann dazu benutzt werden, um die im nachstehenden Abschnitt aufgelisteten Größen zu ermitteln.
Was erhalte ich durch Kapazitäts-Spannungsmessungen?
Durch Kapazitäts-Spannungs-Messungen kann man folgendes ermitteln:
- Donatorkonzentration
(
) - Diffusionsspannung (eingebautes Potential)
(V) - Verarmungslänge
(nm) - Bestimmung der Schottky-Barrieren-Höhe
- Dotierprofil +++
- Ladungs- und Energiezustände von Quantenpunkten +++
Physikalischer Hintergrund
Die Kapazität in der Verarmungszone wird in Abhängigkeit der Spannung gemessen. Anders als bei einem Plattenkondensator befinden sich die Elektronen in der Metallschicht und die positiven Donatorionen in dem angrenzenden halbleitenden Volumen. Mit der Variation der angelegten Spannung kann die Breite der Verarmungszone verändert werden, was eine Änderung der Kapazität zur Folge hat. Bei homogener Dotierung hängt die Anzahl der Donatorionen linear mit der Breite der Verarmungszone zusammen, die wiederum mit der Wurzel des Potential bzw. mit der Spannung zusammenhängt. Es lässt sich folgende Gleichung herleiten:
S ist hierbei die Kontaktfläche der aufgedampften Gates (für gewöhnlich 300 
300 µ
groß) und 
die Permittivität.
Trägt man nun 
gegen die Spannung auf, kann man aus der Steigung der erhaltenen Geraden die Donatorkonzentration bestimmen:
Ferner kann man aus dem Graphen die Diffusionsspannung ermitteln, indem man den Spannungswert bei 
aus der Regressionsgeradenvorschrift errechnet.
Möchte man sich den Verlauf der Verarmungslänge anschauen, so kann man die Beziehung für den Parallelplattenkondensator verwenden:
Die Schottky-Barrieren-Höhe kann dann mittels
errechnet werden, wobei 
die Energiedifferenz zwischen Leitungsbandkante und Fermi-Level und 
die Barrierenabsenkung aufgrund des Bildladungs-Effektes zwischen Flachband- und Null-Bias-Fall ist.
