Spitzenmessplatz: Unterschied zwischen den Versionen
P Lab (Diskussion | Beiträge) K |
P Lab (Diskussion | Beiträge) K |
||
Zeile 7: | Zeile 7: | ||
Bei der Positionierung der Messsspitzen auf die Kontaktflächen der Probe und beim Entfernen der Spitzen von der Kontaktfläche sollte man vorsichtig sein, denn die Spitzen können die aufgedampften Strukturen beschädigen. Man sollte sich ''vorher'' durch Ausprobieren gemerkt haben, wie die Spitzen beim Drehen an den Mikrometerschrauben verfahren. Die Spitze beim Entfernen versehentlich noch weiter herabzusetzen ist zwar möglich, kann aber bei grober Handhabung zum Schaden der Kontaktflächen führen. | Bei der Positionierung der Messsspitzen auf die Kontaktflächen der Probe und beim Entfernen der Spitzen von der Kontaktfläche sollte man vorsichtig sein, denn die Spitzen können die aufgedampften Strukturen beschädigen. Man sollte sich ''vorher'' durch Ausprobieren gemerkt haben, wie die Spitzen beim Drehen an den Mikrometerschrauben verfahren. Die Spitze beim Entfernen versehentlich noch weiter herabzusetzen ist zwar möglich, kann aber bei grober Handhabung zum Schaden der Kontaktflächen führen. | ||
− | [[Datei: | + | [[Datei:FKP_W_Spitzenmessplatz1.png|left]][[Datei:FKP_W_Spitzenmessplatz2|right]] |
Version vom 11. September 2009, 10:40 Uhr
Hat man eine Schaltung oder eine Struktur auf einem Halbleiter gefertigt, so kann man mittels des Spitzenmessplatzes einige bis alle Eigenschaften dieser Schaltung elektrisch ausmessen, ohne dabei den Halbleiter in einen Chipcarrier einzubauen und ohne die Kontakte auf dem Halbleiter mit den Pads des Chipcarriers mittels eines Bonddrahtes zu verbinden.
Dieser experimentelle Aufbau dient demnach der ersten elektrischen Charakterisierung des gefertigten Halbleiters. Da man weder einen Chipcarrier noch Bonddrähte hat, geschieht die Kontaktierung des Halbleiters (wie der Name des Aufbaus schon verrät) über feine Spitzen/Nadeln, die mittels Mikrometerschrauben auf die Kontakte positioniert werden. Die Probe wird während der Kontaktierung und des Messens mit Unterdruck an seinem Platz gehalten, so dass die Probe nicht verrutschen kann (sinnvoll ist hierbei möglichst viele Ansauglöcher mit der Probe zu überdecken).
Hat die elektrische Kontaktierung geklappt, so kann man zum Beispiel transistorspezifische Charakteristika aufnehmen.
Bei der Positionierung der Messsspitzen auf die Kontaktflächen der Probe und beim Entfernen der Spitzen von der Kontaktfläche sollte man vorsichtig sein, denn die Spitzen können die aufgedampften Strukturen beschädigen. Man sollte sich vorher durch Ausprobieren gemerkt haben, wie die Spitzen beim Drehen an den Mikrometerschrauben verfahren. Die Spitze beim Entfernen versehentlich noch weiter herabzusetzen ist zwar möglich, kann aber bei grober Handhabung zum Schaden der Kontaktflächen führen.