Photoluminiszenz an HL-Heterostrukturen - Versionsgeschichte

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Die Einstellung des Bandverlaufs in Halbleiterheterostrukturen („band gap engineering“) hat zu einer Vielzahl von elektronischen und elektrooptischen Bauelementen (schnelle Transistoren, Leucht- und Laserdioden) geführt. Dabei wird der Bandverlauf auf einer so kleinen Längenskala moduliert, dass Quantisierungseffekte auftreten, z. B. lässt sich der in Quantenmechanik-Vorlesungen behandelte rechteckige Potenzialkasten (Quantentopf) realisieren. Photolumiszenz (PL)-Messungen sind eine der wichtigsten Charakterisierungsmethoden für Halbleiter, insbesondere für Halbleiterheterostrukturen. In diesem Versuch werden PL-Messungen eingesetzt, um die durch - die Quantisierung bedingte - Grundzustandsenergie der Elektronen und Löcher in den verschiedenen Quantentöpfen nachzuweisen. Im ersten Teil des Versuchs werden drei verschiedene Proben, die jeweils mehrere GaAs-Quantentöpfe enthalten, bei Zimmertemperatur und bei 77 K vermessen. Eine Probe dient als Referenz, d. h. ihre Schichtenfolge ist bekannt, und zwei Proben sollen an Hand der PL-Spektren identifiziert werden, wobei mögliche Schichtenfolgen vorgegeben sind. Im zweiten Versuchsteil werden PL-Spektren als Funktion der Temperatur aufgenommen. Aus diesen Daten kann die Temperaturabhägigkeit der Bandlücke von GaAs sowie der Grundzustandsenergie in den Quantentöpfen bestimmt und mit theoretischen Werten verglichen werden.

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	Die Einstellung des Bandverlaufs in Halbleiterheterostrukturen („band gap engineering“) hat zu einer Vielzahl von elektronischen und elektrooptischen Bauelementen (schnelle Transistoren, Leucht- und Laserdioden) geführt. Dabei wird der Bandverlauf auf einer so kleinen Längenskala moduliert, dass Quantisierungseffekte auftreten, z. B. lässt sich der in Quantenmechanik-Vorlesungen behandelte rechteckige Potenzialkasten (Quantentopf) realisieren. Photolumiszenz (PL)-Messungen sind eine der wichtigsten Charakterisierungsmethoden für Halbleiter, insbesondere für Halbleiterheterostrukturen. In diesem Versuch werden PL-Messungen eingesetzt, um die durch - die Quantisierung bedingte - Grundzustandsenergie der Elektronen und Löcher in den verschiedenen Quantentöpfen nachzuweisen. Im ersten Teil des Versuchs werden drei verschiedene Proben, die jeweils mehrere GaAs-Quantentöpfe enthalten, bei Zimmertemperatur und bei 77 K vermessen. Eine Probe dient als Referenz, d. h. ihre Schichtenfolge ist bekannt, und zwei Proben sollen an Hand der PL-Spektren identifiziert werden, wobei mögliche Schichtenfolgen vorgegeben sind. Im zweiten Versuchsteil werden PL-Spektren als Funktion der Temperatur aufgenommen. Aus diesen Daten kann die Temperaturabhägigkeit der Bandlücke von GaAs sowie der Grundzustandsenergie in den Quantentöpfen bestimmt und mit theoretischen Werten verglichen werden.		Die Einstellung des Bandverlaufs in Halbleiterheterostrukturen („band gap engineering“) hat zu einer Vielzahl von elektronischen und elektrooptischen Bauelementen (schnelle Transistoren, Leucht- und Laserdioden) geführt. Dabei wird der Bandverlauf auf einer so kleinen Längenskala moduliert, dass Quantisierungseffekte auftreten, z. B. lässt sich der in Quantenmechanik-Vorlesungen behandelte rechteckige Potenzialkasten (Quantentopf) realisieren. Photolumiszenz (PL)-Messungen sind eine der wichtigsten Charakterisierungsmethoden für Halbleiter, insbesondere für Halbleiterheterostrukturen. In diesem Versuch werden PL-Messungen eingesetzt, um die durch - die Quantisierung bedingte - Grundzustandsenergie der Elektronen und Löcher in den verschiedenen Quantentöpfen nachzuweisen. Im ersten Teil des Versuchs werden drei verschiedene Proben, die jeweils mehrere GaAs-Quantentöpfe enthalten, bei Zimmertemperatur und bei 77 K vermessen. Eine Probe dient als Referenz, d. h. ihre Schichtenfolge ist bekannt, und zwei Proben sollen an Hand der PL-Spektren identifiziert werden, wobei mögliche Schichtenfolgen vorgegeben sind. Im zweiten Versuchsteil werden PL-Spektren als Funktion der Temperatur aufgenommen. Aus diesen Daten kann die Temperaturabhägigkeit der Bandlücke von GaAs sowie der Grundzustandsenergie in den Quantentöpfen bestimmt und mit theoretischen Werten verglichen werden.

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	Die Einstellung des Bandverlaufs in Halbleiterheterostrukturen („band gap engineering“) hat zu einer Vielzahl von elektronischen und elektrooptischen Bauelementen (schnelle Transistoren, Leucht- und Laserdioden) geführt. Dabei wird der Bandverlauf auf einer so kleinen Längenskala moduliert, dass Quantisierungseffekte auftreten, z. B. lässt sich der in Quantenmechanik-Vorlesungen behandelte rechteckige Potenzialkasten (Quantentopf) realisieren. Photolumiszenz (PL)-Messungen sind eine der wichtigsten Charakterisierungsmethoden für Halbleiter, insbesondere für Halbleiterheterostrukturen. In diesem Versuch werden PL-Messungen eingesetzt, um die durch - die Quantisierung bedingte - Grundzustandsenergie der Elektronen und Löcher in den verschiedenen Quantentöpfen nachzuweisen. Im ersten Teil des Versuchs werden drei verschiedene Proben, die jeweils mehrere GaAs-Quantentöpfe enthalten, bei Zimmertemperatur und bei 77 K vermessen. Eine Probe dient als Referenz, d. h. ihre Schichtenfolge ist bekannt, und zwei Proben sollen an Hand der PL-Spektren identifiziert werden, wobei mögliche Schichtenfolgen vorgegeben sind. Im zweiten Versuchsteil werden PL-Spektren als Funktion der Temperatur aufgenommen. Aus diesen Daten kann die Temperaturabhägigkeit der Bandlücke von GaAs sowie der Grundzustandsenergie in den Quantentöpfen bestimmt und mit theoretischen Werten verglichen werden.		Die Einstellung des Bandverlaufs in Halbleiterheterostrukturen („band gap engineering“) hat zu einer Vielzahl von elektronischen und elektrooptischen Bauelementen (schnelle Transistoren, Leucht- und Laserdioden) geführt. Dabei wird der Bandverlauf auf einer so kleinen Längenskala moduliert, dass Quantisierungseffekte auftreten, z. B. lässt sich der in Quantenmechanik-Vorlesungen behandelte rechteckige Potenzialkasten (Quantentopf) realisieren. Photolumiszenz (PL)-Messungen sind eine der wichtigsten Charakterisierungsmethoden für Halbleiter, insbesondere für Halbleiterheterostrukturen. In diesem Versuch werden PL-Messungen eingesetzt, um die durch - die Quantisierung bedingte - Grundzustandsenergie der Elektronen und Löcher in den verschiedenen Quantentöpfen nachzuweisen. Im ersten Teil des Versuchs werden drei verschiedene Proben, die jeweils mehrere GaAs-Quantentöpfe enthalten, bei Zimmertemperatur und bei 77 K vermessen. Eine Probe dient als Referenz, d. h. ihre Schichtenfolge ist bekannt, und zwei Proben sollen an Hand der PL-Spektren identifiziert werden, wobei mögliche Schichtenfolgen vorgegeben sind. Im zweiten Versuchsteil werden PL-Spektren als Funktion der Temperatur aufgenommen. Aus diesen Daten kann die Temperaturabhägigkeit der Bandlücke von GaAs sowie der Grundzustandsenergie in den Quantentöpfen bestimmt und mit theoretischen Werten verglichen werden.
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		+	[http://f-praktikum.ep1.rub.de/anleitung/Versuch501.pdf Anleitung]
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		+	[http://f-praktikum.ep1.rub.de/anleitung/Sonder501.pdf Sonderanleitung]